An ionised-impurity scattering model for 3D Monte Carlo device simulation with discrete impurity distribution

  1. Barraud, S.
  2. Dollfus, P.
  3. Galdin, S.
  4. Rengel, R.
  5. Martín, M.J.
  6. Velázquez, J.E.
Revista:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Año de publicación: 2001

Volumen: 13

Número: 1-4

Páginas: 399-404

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1155/2001/96951 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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