Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2022

Volumen: 132

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0100426 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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