A Deep Learning-Monte Carlo Combined Prediction of Side-Effect Impact Ionization in Highly Doped GaN Diodes

  1. Garcia-Sanchez, S.
  2. Rengel, R.
  3. Perez, S.
  4. Gonzalez, T.
  5. Mateos, J.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Año de publicación: 2023

Volumen: 70

Número: 6

Páginas: 2981-2987

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2023.3265625 GOOGLE SCHOLAR
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