Physically based comparison of current noise analysis of Si BJT's and SiGe HBT's

  1. Martin-Martinez, M.J.
  2. Pardo, D.
Actas:
European Solid-State Device Research Conference

ISSN: 1930-8876

ISBN: 9782863322482

Año de publicación: 2000

Páginas: 148-151

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/ESSDERC.2000.194736 GOOGLE SCHOLAR
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