A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs

  1. Rengel, R.
  2. Martin, M.J.
  3. González, T.
  4. Mateos, J.
  5. Pardo, D.
  6. Dambrine, G.
  7. Raskin, J.-P.
  8. Danneville, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2006

Volum: 53

Número: 3

Pàgines: 523-532

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2005.863541 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus